Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2012" (ICMNE-2012) с расширенной сессией "Квантовая информатика" и семинаром "Кремний на изоляторе" состоится в подмосковном пансионате “Липки”, г. Звенигород, с 1 по 5 октября 2012 г.    Эта конференция продолжает ряд регулярных Всероссийских ("МНЕ-1999", "МНЕ-2001", "КИ-2002") и международных ("ICMNE-2003", "QI-2004", "ICMNE-2005", "QI-2005", "ICMNE-2007", "QI-2007", "ICMNE-2009", "QI-2009") конференций.
Общая информация      Важные даты      Комитеты      Научная программа (доступна)      Регистрация (Закрыта)      Место проведения      Тематика докладов      Информационное сообщение      Скачать      Выставка      Контактная информация      Информация о ICMNE-2009      Информация о ICMNE-2007      Информация о ICMNE-2005      Информация о ICMNE-2003	Комитеты Международный комитет ICMNE-2012 Председатель: E. Велихов, Российский научный центр «Курчатовский институт», Москва Со-предедатель: A. Oрликовский, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Члены комитета: D. Averin, Stony Brook University, New York, USA A. Aсеев, Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия M. Baklanov, International Microelectronic Centre (IMEC), Leuven, Belgium V. Benine, ASML, Veldhoven, Netherlands Ю. Гуляев, Институт радиоэлектроники РАН, Москва, Россия Ф. Кузнецов, Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия В. Лабунов, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь В. Литовченко, Институт физики полупроводников Национальной украинской академии наук, Киев, Украина K. Likharev, Stony Brook University, New York, USA J. Nishizawa, Semiconductor Research Institute, Sendai, Japan K. Novoselov, University of Manchester, Manchester, UK Yu. Pozhela, Institute of Semiconductor Physics, Vilnyus, Lithuania I. Rangelow, University of Ilmenau, Ilmenau, Germany H. Ryssel, Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Devices Technology, Erlangen, Germany Th. Skotnicki, ST Microelectronics, Crolles, France Р. Сурис, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия D. Toma, Tokyo Electron Corporation, U.S. Technology Development Center, Albany, USA A. Toriumi, University of Tokyo, Tokyo, Japan H.-L. Hwang, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan R. Chabicovsky, Technical University, Vienna, Austria Программный комитет Председатель: А. Oрликовский, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Со-председатели: И. Неизвестный, Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия; В. Лукичев, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Члены комитета: A. Aлександров, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия В. Аристов, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Россия В. Бетелин, Научно-исследовательский институт системных исследований РАН, Москва, Россия Ю. Богданов, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия В. Вьюрков, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Б. Грибов, Государственный научный институт сверхчистых материалов, Зеленоград, Россия Ф. Комаров, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь Ю. Копаев, Физический институт РАН им. П.Н. Лебедева, Москва, Россия П. Копьев, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Г. Красников, ОАО "НИИМЭ", Зеленоград, Россия П. Мальцев, Институт СВЧ полупроводниковой микроэлектроники РАН, Москва, Россия А. Назаров, Институт физики полупроводников Национальной украинской академии наук, Киев, Украина Ю. Ожигов, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия В. Панченко, Институт лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия А. Рудый, Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Н. Салащенко, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия К. Салихов, Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Казань, Россия А. Сигов, Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва, Россия П. Тодуа, Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия Ю. Чаплыгин, Московский институт электронной техники (ТУ), Зеленоград, Россия Организационный комитет Председатель: В. Лукичев, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Со-председатель: K. Руденко, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Члены комитета: И. Абрамов, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь И. Амиров, Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия Ю. Богданов, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия A. Бухараев, Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Kaзань, Россия A. Горбацевич, Физический институт РАН, Москва, Россия M. Королев, Московский институт электронной техники (ТУ), Зеленоград, Россия С. Никитов, Институт радиоэлектроники РАН, Москва, Россия O. Пчеляков, Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия В. Рубаев, компания НИКС, Москва, Россия M. Чуев, Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия Локальный оргкомитет ч.-корр. РАН, проф. Лукичев Владимир Федорович – Председатель оргкомитета ICMNE-2012 д.ф.-м.н., проф. Богданов Юрий Иванович – Председатель расширенной сессии QI-2012 к.ф.-м.н. Вьюрков Владимир Владимирович – Председатель семинара SOI-2012 к.ф.-м.н. Кудря Владимир Петрович – Ученый секретарь ICMNE-2012 Скалкин Сергей Иванович – Финансовый директор ICMNE-2012 к.ф.-м.н. Мяконьких Андрей Валерьевич к.ф.-м.н. Рогожин Александр Евгеньевич к.ф.-м.н. Семенихин Игорь Александрович к.ф.-м.н. Цуканов Александр Викторович Лукьянова Ирина Юрьевна Сосина Валерия Петровна 117218, Россия, Москва, Физико-технологический институт РАН (ФТИАН), Нахимовский пр-т, 34 (36 корп.1) Тел: +7 (499) 129-54-92; +7 (499) 129-76-33 Факс: +7 (499) 125-38-26